半导体制造工艺与光刻胶

 在半导体制造中，光刻胶用于光刻工艺中以在基板上形成电路图案。制造过程主要包括以下步骤。

①清洗
涂敷光刻胶前，应彻底清洗基材，保持表面清洁。

②光刻胶的涂敷
将光刻胶均匀地涂敷在基材上并干燥。此阶段光刻胶的厚度和均匀性对后续图形形成的精度有很大的影响。

③曝光 用紫外线照射光刻胶，在光刻胶上形成图案。
发射光的波长和强度直接影响图案的分辨率。

④显影用显影剂
对曝光后的光刻胶进行处理，除去不需要的部分。这使得设计的图案出现在板上。

⑤蚀刻
显影后，以光刻胶图案为掩模，通过蚀刻去除基板上不需要的部分。

⑥去除光刻胶
最后，蚀刻完成后，去除光刻胶，进入下一步。