半导体曝光设备原理

半导体曝光设备原理

半导体光刻系统由光源、聚光透镜、光掩模、投影透镜和平台组成。聚光透镜调整从光源发出的紫外线，使其面向同一方向。之后，紫外光穿过作为一层电路图案原型的光掩模，通过投影透镜减少光线，将半导体元件的电路图案（一层）转移到硅晶片上.增加。在诸如步进机之类的曝光设备中，在完成一次转移之后，工作台移动硅晶片并将相同的电路图案转移到硅晶片上的另一位置。更换光掩模可以转移半导体器件的另一层电路图案。

使用波长为248nm的KrF准分子激光器、波长为193nm的ArF准分子激光器以及波长为13nm的EUV光源作为光源。

最新半导体制造工艺的设计规则（最小加工尺寸）已小型化至约3至5纳米，因此聚光透镜、光掩模、投影透镜和平台的纳米单位的高精度要求不断提高。另外，由于正在进行层压，所以通过改变电路图案来进行多次曝光，直到完成一个半导体。