离子植入设备的使用

 在半导体制造过程中，将离子植入装置用于杂质植入过程中。广泛用于半导体底物的硅晶片是按原样的绝缘材料，并且无法通过电流或传输电信号。通过将离子从外部植入晶片中，形成具有电气特性的部分，例如N型半导体或P型半导体。

N型半导体是一个半导体，其中具有许多电子的元素被植入杂质，而P型半导体是一个带有许多孔的元素，被植入了杂质。植入离子有时被称为掺杂或植入离子。

在制作N型半导体时，使用15组元素的离子，例如氮，磷和砷。另一方面，在制作P型半导体时，使用第13组元素（例如硼和铝）的离子。离子植入发生在电路截面通过蚀刻形成之后。

晶圆的顶表面分为晶片表面暴露的区域，并通过蚀刻受到光震保护区域。当离子植入那里时，晶片的暴露部分根据离子的类型而变成N型或P型半导体。