离子植入设备原理

 离子植入装置由离子源，分析单元，缝隙，加速器管，偏振器，镜头，扫描仪，硅晶片阶段，高温注入夹具组成。离子源部分已放置在真空状态下，并充满了用于产生离子的磷，硼，砷等元素，并使用电磁场将气体变成血浆状态。

分析单元和缝隙的作用是仅移动用于离子植入的物质的离子，从等离子体形成的气体进入加速器管。离子在加速管内加速并穿过偏振器和Q镜头，使其形状为离子束。

扫描仪的作用是在X和Y方向上扫描离子光束。将要植入的晶片精确设置在硅晶片阶段，当离子束扫描晶片表面时，将离子植入。

晶圆的背面有一个高温注射夹具。高温注入夹具的作用是加热晶圆。通过加热晶片，可以抑制由离子植入引起的晶体缺陷的发生，并且可以通过自我弥补的效果消除缺陷。